摘要:以60Co-γ射线辐照为参照体系，研究了低能氮离子诱发大肠杆菌利福平抗性突变。结果表明，低能氮离子注入具有损伤轻而突变率较高的特点。碱基置换型突变与其检出频率分析表明，CG→TA、GC→AT、AT→GC转换与AT→TA颠换为低能氮离子诱发大肠杆菌活体细胞内的高频突变，占检出总突变数的875% (77/88)。并鉴定出大肠杆菌rpoB基因中两个新的利福平抗性决定位点。位点一位于1551位鸟嘌呤脱氧核苷酸（dG）被胞嘧啶脱氧核苷酸（dC）取代，导致Gln517 (谷氨酰胺残基) 被His (组氨酸) 替代；位点二位于1692的胞嘧啶脱氧核苷酸（dC）被胸腺嘧啶脱氧核苷酸（dT）替代，导致Pro564 (脯氨酸残基) 被Leu (亮氨酸) 取代，使突变子产生抗性。其中位点一还未见报道，位点二的同义突变已有报道，但1692位点C到T的核苷酸突变并没有得到鉴定。
